GlobalFoundries: Opracowano układ 3D Arm w pakiecie 12 nm FinFET

Według zagranicznych mediów Tom's Hardware, GlobalFoundries ogłosił w tym tygodniu, że z powodzeniem zbudował wysokowydajne układy 3DArm wykorzystując proces FinFET 12 nm.

„Te układy 3D o wysokiej gęstości przyniosą nową wydajność i efektywność energetyczną aplikacjom obliczeniowym, takim jak AI / ML (sztuczna inteligencja i uczenie maszynowe) oraz wysokiej klasy mobilne i bezprzewodowe rozwiązania konsumenckie”. powiedział GlobalFoundries.

Według raportów GlobalFoundries i Arm zweryfikowali metodę testu projektowego 3D (DFT) przy użyciu hybrydowego wiązania Grofont do wafla. Ta technologia obsługuje do 1 miliona połączeń 3D na milimetr kwadratowy, dzięki czemu jest wysoce skalowalna i oczekuje się, że zapewni dłuższą żywotność układów 12nm3D.

W przypadku technologii pakowania 3D Intel ogłosił w zeszłym roku swoje badania nad układaniem układów 3D. AMD rozmawiało także o rozwiązaniu nakładania 3D DRAM i SRAM na swój układ.